PJF10NA65 Todos los transistores

 

PJF10NA65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJF10NA65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: ITO-220AB-F
 

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PJF10NA65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  panjit
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PJF10NA65

PPJP10NA65 / PJF10NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@5A

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PJF10NA65

PPJP10NA60 / PJF10NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@5A

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PJF10NA65

PPJP10NA80 / PJF10NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 5A

Otros transistores... PJD5NA50 , PJD5NA80 , PJD6NA40 , PJD6NA70 , PJD7NA60 , PJD7NA65 , PJD8NA50 , PJF10NA60 , IRF540N , PJF10NA80 , PJF12NA60 , PJF13NA50 , PJF2NA60 , PJF2NA70 , PJF3NA80 , PJF4NA60 , PJF4NA65 .

History: IPW65R310CFD | HUFA76419DF085 | IRC533A | STS6604L

 

 
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