PJF10NA65 datasheet, аналоги, параметры транзистора

PJF10NA65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJF10NA65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: ITO-220AB-F

Аналог (замена) для PJF10NA65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:335K panjit
pjf10na65 pjp10na65.pdf pdf_icon

PPJP10NA65 / PJF10NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@5A

6.1. Size:340K panjit
pjf10na60 pjp10na60.pdf pdf_icon

PPJP10NA60 / PJF10NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@5A

7.1. Size:321K panjit
pjf10na80 pjp10na80.pdf pdf_icon

PPJP10NA80 / PJF10NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 5A