PJP10NA65 Todos los transistores

 

PJP10NA65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJP10NA65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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PJP10NA65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  panjit
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PJP10NA65

PPJP10NA65 / PJF10NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@5A

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PJP10NA65

PPJP10NA60 / PJF10NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@5A

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PJP10NA65

PPJP10NA80 / PJF10NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 5A

Otros transistores... PJF7NA65 , PJF7NA80 , PJF8NA50 , PJF9NA90 , PJN1NA50 , PJN1NA60 , PJN1NA60A , PJP10NA60 , 12N60 , PJP10NA80 , PJP12NA60 , PJP13NA50 , PJP1NA80 , PJP2NA60 , PJP2NA70 , PJP3NA80 , PJP4NA60 .

History: AOI1R4A70 | WMP80R1K5S | CMLDM7003E | R6046ANZ

 

 
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