PJP10NA65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJP10NA65
Código: P10NA65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 156 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 20 nC
Tiempo de subida (tr): 74 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJP10NA65
PJP10NA65 Datasheet (PDF)
pjf10na65 pjp10na65.pdf
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PPJP10NA65 / PJF10NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@5A
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PPJP10NA60 / PJF10NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@5A
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PPJP10NA80 / PJF10NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 5A
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