Справочник MOSFET. PJP10NA65

 

PJP10NA65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJP10NA65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для PJP10NA65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJP10NA65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  panjit
 pjf10na65 pjp10na65.pdf pdf_icon

PJP10NA65

PPJP10NA65 / PJF10NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@5A

 6.1. Size:340K  panjit
 pjf10na60 pjp10na60.pdf pdf_icon

PJP10NA65

PPJP10NA60 / PJF10NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@5A

 7.1. Size:321K  panjit
 pjf10na80 pjp10na80.pdf pdf_icon

PJP10NA65

PPJP10NA80 / PJF10NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 5A

Другие MOSFET... PJF7NA65 , PJF7NA80 , PJF8NA50 , PJF9NA90 , PJN1NA50 , PJN1NA60 , PJN1NA60A , PJP10NA60 , 12N60 , PJP10NA80 , PJP12NA60 , PJP13NA50 , PJP1NA80 , PJP2NA60 , PJP2NA70 , PJP3NA80 , PJP4NA60 .

History: IPD50N06S4L-12 | BSZ033NE2LS5 | AP4024GEMT | BSZ014NE2LS5IF | CJPF10N65 | AM7431P | SQD50P08-25L

 

 
Back to Top

 


 
.