Справочник MOSFET. PJP10NA65

 

PJP10NA65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJP10NA65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PJP10NA65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  panjit
 pjf10na65 pjp10na65.pdf pdf_icon

PJP10NA65

PPJP10NA65 / PJF10NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@5A

 6.1. Size:340K  panjit
 pjf10na60 pjp10na60.pdf pdf_icon

PJP10NA65

PPJP10NA60 / PJF10NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@5A

 7.1. Size:321K  panjit
 pjf10na80 pjp10na80.pdf pdf_icon

PJP10NA65

PPJP10NA80 / PJF10NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 5A

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK1180 | NVMFS5C628N | KP813B | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.