PJP12NA60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJP12NA60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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PJP12NA60 datasheet

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PJP12NA60

PPJP12NA60 / PJF12NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 12 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@6A

Otros transistores... PJF8NA50, PJF9NA90, PJN1NA50, PJN1NA60, PJN1NA60A, PJP10NA60, PJP10NA65, PJP10NA80, IRF9540N, PJP13NA50, PJP1NA80, PJP2NA60, PJP2NA70, PJP3NA80, PJP4NA60, PJP4NA65, PJP4NA70