Справочник MOSFET. PJP12NA60

 

PJP12NA60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PJP12NA60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для PJP12NA60

 

 

PJP12NA60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  panjit
pjf12na60 pjp12na60.pdf

PJP12NA60
PJP12NA60

PPJP12NA60 / PJF12NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 12 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@6A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top