PJP13NA50 Todos los transistores

 

PJP13NA50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJP13NA50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

 Búsqueda de reemplazo de PJP13NA50 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PJP13NA50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  panjit
 pjf13na50 pjp13na50.pdf pdf_icon

PJP13NA50

PPJP13NA50 / PJF13NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 13 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@6.5A

Otros transistores... PJF9NA90 , PJN1NA50 , PJN1NA60 , PJN1NA60A , PJP10NA60 , PJP10NA65 , PJP10NA80 , PJP12NA60 , IRF4905 , PJP1NA80 , PJP2NA60 , PJP2NA70 , PJP3NA80 , PJP4NA60 , PJP4NA65 , PJP4NA70 , PJP4NA90 .

History: AONS74304 | FQPF9N50T | MCQ15N10B

 

 
Back to Top

 


 
.