PJP13NA50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJP13NA50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PJP13NA50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJP13NA50 даташит

 ..1. Size:313K  panjit
 pjf13na50 pjp13na50.pdf pdf_icon

PJP13NA50

PPJP13NA50 / PJF13NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 13 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@6.5A

Другие IGBT... PJF9NA90, PJN1NA50, PJN1NA60, PJN1NA60A, PJP10NA60, PJP10NA65, PJP10NA80, PJP12NA60, IRF4905, PJP1NA80, PJP2NA60, PJP2NA70, PJP3NA80, PJP4NA60, PJP4NA65, PJP4NA70, PJP4NA90