PJP3NA80 Todos los transistores

 

PJP3NA80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJP3NA80
   Código: P3NA80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 106 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

PJP3NA80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  panjit
pjd3na80 pjf3na80 pjp3na80 pju3na80.pdf pdf_icon

PJP3NA80

PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BUK9606-75B | FQPF2N80YDTU | IRF200P223 | SPP70N10L

 

 
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