PJP3NA80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJP3NA80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 106 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de PJP3NA80 MOSFET
PJP3NA80 Datasheet (PDF)
pjd3na80 pjf3na80 pjp3na80 pju3na80.pdf
PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A
Otros transistores... PJP10NA60 , PJP10NA65 , PJP10NA80 , PJP12NA60 , PJP13NA50 , PJP1NA80 , PJP2NA60 , PJP2NA70 , 4435 , PJP4NA60 , PJP4NA65 , PJP4NA70 , PJP4NA90 , PJP5NA50 , PJP5NA80 , PJP6NA40 , PJP6NA70 .
History: IPB65R095C7 | P6002OAG | SSM5P16FU | BUK961R5-30E | CS50N06F | AP65WN770I
History: IPB65R095C7 | P6002OAG | SSM5P16FU | BUK961R5-30E | CS50N06F | AP65WN770I
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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