Справочник MOSFET. PJP3NA80

 

PJP3NA80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJP3NA80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для PJP3NA80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJP3NA80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  panjit
 pjd3na80 pjf3na80 pjp3na80 pju3na80.pdf pdf_icon

PJP3NA80

PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A

Другие MOSFET... PJP10NA60 , PJP10NA65 , PJP10NA80 , PJP12NA60 , PJP13NA50 , PJP1NA80 , PJP2NA60 , PJP2NA70 , 8205A , PJP4NA60 , PJP4NA65 , PJP4NA70 , PJP4NA90 , PJP5NA50 , PJP5NA80 , PJP6NA40 , PJP6NA70 .

History: AON7232 | ZXMN3A01FTA | APT5024SVFRG | STD25NF20 | BTS140A | CSD13303W1015 | 4N60KL-TF2-T

 

 
Back to Top

 


 
.