PJP3NA80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJP3NA80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PJP3NA80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJP3NA80 даташит

 ..1. Size:458K  panjit
 pjd3na80 pjf3na80 pjp3na80 pju3na80.pdf pdf_icon

PJP3NA80

PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A

Другие IGBT... PJP10NA60, PJP10NA65, PJP10NA80, PJP12NA60, PJP13NA50, PJP1NA80, PJP2NA60, PJP2NA70, IRFP260, PJP4NA60, PJP4NA65, PJP4NA70, PJP4NA90, PJP5NA50, PJP5NA80, PJP6NA40, PJP6NA70