PJP8NA50 Todos los transistores

 

PJP8NA50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJP8NA50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 134 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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PJP8NA50 Datasheet (PDF)

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PJP8NA50

PPJU8NA50 / PJD8NA50 / PJP8NA50 / PJF8NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 8 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@4A

Otros transistores... PJP5NA50 , PJP5NA80 , PJP6NA40 , PJP6NA70 , PJP6NA90 , PJP7NA60 , PJP7NA65 , PJP7NA80 , IRLB4132 , PJP9NA90 , PJU1NA50 , PJU1NA60 , PJU1NA60A , PJU1NA80 , PJU2NA60 , PJU2NA60H , PJU2NA70 .

 

 
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