PJP8NA50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJP8NA50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 134 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PJP8NA50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJP8NA50 даташит

 ..1. Size:430K  panjit
 pjd8na50 pjf8na50 pjp8na50 pju8na50.pdf pdf_icon

PJP8NA50

PPJU8NA50 / PJD8NA50 / PJP8NA50 / PJF8NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 8 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@4A

Другие IGBT... PJP5NA50, PJP5NA80, PJP6NA40, PJP6NA70, PJP6NA90, PJP7NA60, PJP7NA65, PJP7NA80, CS150N03A8, PJP9NA90, PJU1NA50, PJU1NA60, PJU1NA60A, PJU1NA80, PJU2NA60, PJU2NA60H, PJU2NA70