PJU3NA50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJU3NA50
Código: U3NA50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 6.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41.3 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251AB
Búsqueda de reemplazo de PJU3NA50 MOSFET
PJU3NA50 Datasheet (PDF)
pjd3na50 pju3na50.pdf
PPJU3NA50 / PJD3NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A
pjd3na80 pjf3na80 pjp3na80 pju3na80.pdf
PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A
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Liste
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