PJU3NA50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJU3NA50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41.3 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251AB
Búsqueda de reemplazo de PJU3NA50 MOSFET
PJU3NA50 Datasheet (PDF)
pjd3na50 pju3na50.pdf
PPJU3NA50 / PJD3NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A
pjd3na80 pjf3na80 pjp3na80 pju3na80.pdf
PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A
Otros transistores... PJP9NA90 , PJU1NA50 , PJU1NA60 , PJU1NA60A , PJU1NA80 , PJU2NA60 , PJU2NA60H , PJU2NA70 , IRFP250 , PJU3NA80 , PJU4NA60 , PJU4NA65 , PJU4NA70 , PJU4NA90 , PJU5NA50 , PJU5NA80 , PJU6NA40 .
History: OSG80R250PF | AUIRFR6215TR | IPB65R225C7 | HMS11N60F
History: OSG80R250PF | AUIRFR6215TR | IPB65R225C7 | HMS11N60F
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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