PJU3NA50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PJU3NA50
Маркировка: U3NA50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 20.6 ns
Выходная емкость (Cd): 41.3 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.2 Ohm
Тип корпуса: TO-251AB
PJU3NA50 Datasheet (PDF)
1.1. pjd3na50 pju3na50.pdf 
Size:265K _panjit
PPJU3NA50 / PJD3NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A<3.2Ω High switching speed Improved dv/dt capability TO-252 TO-251AB Low Gate Charge Low reverse transfer capacitance Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free)
4.1. pjd3na80 pjf3na80 pjp3na80 pju3na80.pdf Size:458K _panjit
PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A<4.8Ω ITO-220AB-F TO-220AB High switching speed Improved dv/dt capability Low Gate Charge Low reverse transfer capacitance Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive. TO-252 TO-251AB Green molding comp
Другие MOSFET... PHB95NQ04LT , PHB96NQ03LT , PHD108NQ03LT , PHD14NQ20T , PHD16N03LT , PHD16N03T , PHD18NQ10T , PHD21N06LT , IRFP250 , PHD23NQ10T , PHD34NQ10T , PHD36N03LT , PHD37N06LT , PHD44N06LT , PHD50N06LT , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CHM1012TGP | CHM1012PAGP | CHM1012LPAGP | CHM09N7NGP | CHM09N6NGP | CHM06N5NGP | CHM05P03NGP | CHM05N65PAGP | CHM04N6NGP | CHM0410JGP | CHM02N7PAGP | CHM02N7NGP | CHM02N6PAGP | CHM02N6GPAGP | CHM02N6ANGP |