PJU3NA50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PJU3NA50
Маркировка: U3NA50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 20.6 ns
Выходная емкость (Cd): 41.3 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.2 Ohm
Тип корпуса: TO-251AB
PJU3NA50 Datasheet (PDF)
1.1. pjd3na50 pju3na50.pdf 
Size:265K _panjit
PPJU3NA50 / PJD3NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A<3.2Ω High switching speed Improved dv/dt capability TO-252 TO-251AB Low Gate Charge Low reverse transfer capacitance Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free)
4.1. pjd3na80 pjf3na80 pjp3na80 pju3na80.pdf Size:458K _panjit
PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A<4.8Ω ITO-220AB-F TO-220AB High switching speed Improved dv/dt capability Low Gate Charge Low reverse transfer capacitance Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive. TO-252 TO-251AB Green molding comp
Другие MOSFET... PJP9NA90 , PJU1NA50 , PJU1NA60 , PJU1NA60A , PJU1NA80 , PJU2NA60 , PJU2NA60H , PJU2NA70 , BF245C , PJU3NA80 , PJU4NA60 , PJU4NA65 , PJU4NA70 , PJU4NA90 , PJU5NA50 , PJU5NA80 , PJU6NA40 .
