PJU8NA50 Todos los transistores

 

PJU8NA50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJU8NA50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251AA
 

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PJU8NA50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  panjit
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PJU8NA50

PPJU8NA50 / PJD8NA50 / PJP8NA50 / PJF8NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 8 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@4A

Otros transistores... PJU4NA70 , PJU4NA90 , PJU5NA50 , PJU5NA80 , PJU6NA40 , PJU6NA70 , PJU7NA60 , PJU7NA65 , IRF2807 , SFF054M , SFF054Z , SFF100N20 , SFF10N100 , SFF10N100B , SFF10N100M , SFF10N100N , SFF10N100P .

History: APT50M85B2VFRG | VS3618AH | VBZL45N03 | SVF14N65CFJ | IRF7862PBF | SUD19P06-60 | WFP840B

 

 
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