PJU8NA50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJU8NA50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251AA
Búsqueda de reemplazo de PJU8NA50 MOSFET
PJU8NA50 Datasheet (PDF)
pjd8na50 pjf8na50 pjp8na50 pju8na50.pdf
PPJU8NA50 / PJD8NA50 / PJP8NA50 / PJF8NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 8 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@4A
Otros transistores... PJU4NA70 , PJU4NA90 , PJU5NA50 , PJU5NA80 , PJU6NA40 , PJU6NA70 , PJU7NA60 , PJU7NA65 , IRFZ24N , SFF054M , SFF054Z , SFF100N20 , SFF10N100 , SFF10N100B , SFF10N100M , SFF10N100N , SFF10N100P .
History: NCE7190A | OSG80R069HF
History: NCE7190A | OSG80R069HF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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