Справочник MOSFET. PJU8NA50

 

PJU8NA50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJU8NA50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-251AA
 

 Аналог (замена) для PJU8NA50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJU8NA50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  panjit
 pjd8na50 pjf8na50 pjp8na50 pju8na50.pdf pdf_icon

PJU8NA50

PPJU8NA50 / PJD8NA50 / PJP8NA50 / PJF8NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 8 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@4A

Другие MOSFET... PJU4NA70 , PJU4NA90 , PJU5NA50 , PJU5NA80 , PJU6NA40 , PJU6NA70 , PJU7NA60 , PJU7NA65 , IRF2807 , SFF054M , SFF054Z , SFF100N20 , SFF10N100 , SFF10N100B , SFF10N100M , SFF10N100N , SFF10N100P .

History: GSM9987 | HGB190N15S | IXTA2N100 | 2SK3755 | OSG60R670FF | ELM33400CA | STL60N3LLH5

 

 
Back to Top

 


 
.