SFF100N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF100N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Encapsulados: TO-3
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SFF100N20 datasheet
sff100n20.pdf
SFF100N20/3T Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 100 AMP , 200 Volts, 25 m DESIGNER S DATA SHEET Avalanche Rated N-channel Part Number / Ordering Information 1/ SFF100N20 ___ ___ ___ MOSFET Screening 2/ __ = Not Screened TX =
Otros transistores... PJU5NA80 , PJU6NA40 , PJU6NA70 , PJU7NA60 , PJU7NA65 , PJU8NA50 , SFF054M , SFF054Z , 8N60 , SFF10N100 , SFF10N100B , SFF10N100M , SFF10N100N , SFF10N100P , SFF10N100Z , SFF10N60 , SFF110S .
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