SFF100N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFF100N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 150 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFF100N20

SFF100N20 Datasheet (PDF)

..1. Size:139K ssdi
sff100n20.pdf

SFF100N20/3T Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 100 AMP , 200 Volts, 25 m DESIGNERS DATA SHEET Avalanche Rated N-channel Part Number / Ordering Information 1/ SFF100N20 ___ ___ ___ MOSFET Screening 2/ __ = Not Screened TX =

9.1. Size:176K ssdi
sff10n100n sff10n100p.pdf

9.2. Size:147K ssdi
sff10n100.pdf

9.3. Size:184K ssdi
sff10n100m sff10n100z.pdf

9.4. Size:170K ssdi
sff10n100b.pdf

9.5. Size:97K semiwell
sff10n60.pdf

SemiWell Semiconductor SFF10N60 N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 0.75 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 48 nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance h

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 25N40

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: