SFF100N20 datasheet, аналоги, параметры транзистора

SFF100N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF100N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-3

Аналог (замена) для SFF100N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SFF100N20 даташит

..1. Size:139K ssdi
sff100n20.pdf pdf_icon

SFF100N20/3T Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 100 AMP , 200 Volts, 25 m DESIGNER S DATA SHEET Avalanche Rated N-channel Part Number / Ordering Information 1/ SFF100N20 ___ ___ ___ MOSFET Screening 2/ __ = Not Screened TX =

9.1. Size:176K ssdi
sff10n100n sff10n100p.pdf pdf_icon