SFF100N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SFF100N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO-3
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SFF100N20 Datasheet (PDF)
sff100n20.pdf

SFF100N20/3T Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 100 AMP , 200 Volts, 25 m DESIGNERS DATA SHEET Avalanche Rated N-channel Part Number / Ordering Information 1/ SFF100N20 ___ ___ ___ MOSFET Screening 2/ __ = Not Screened TX =
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: FHD4N65B | AP2306CGN-HF | WM02DN560Q | 2SK1677 | 2SK2703 | MS85N06 | JSM36326
History: FHD4N65B | AP2306CGN-HF | WM02DN560Q | 2SK1677 | 2SK2703 | MS85N06 | JSM36326



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor