Справочник MOSFET. SFF100N20

 

SFF100N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF100N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-3
 

 Аналог (замена) для SFF100N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF100N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  ssdi
 sff100n20.pdf pdf_icon

SFF100N20

SFF100N20/3T Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 100 AMP , 200 Volts, 25 m DESIGNERS DATA SHEET Avalanche Rated N-channel Part Number / Ordering Information 1/ SFF100N20 ___ ___ ___ MOSFET Screening 2/ __ = Not Screened TX =

 9.1. Size:176K  ssdi
 sff10n100n sff10n100p.pdf pdf_icon

SFF100N20

 9.2. Size:147K  ssdi
 sff10n100.pdf pdf_icon

SFF100N20

 9.3. Size:184K  ssdi
 sff10n100m sff10n100z.pdf pdf_icon

SFF100N20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PJU5NA80 , PJU6NA40 , PJU6NA70 , PJU7NA60 , PJU7NA65 , PJU8NA50 , SFF054M , SFF054Z , K2611 , SFF10N100 , SFF10N100B , SFF10N100M , SFF10N100N , SFF10N100P , SFF10N100Z , SFF10N60 , SFF110S .

History: UT3N06G-TM3-T | GSM3406AS

 

 
Back to Top

 


 
.