SFF120-28Q Todos los transistores

 

SFF120-28Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFF120-28Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: 28-PIN-CLCC
 

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SFF120-28Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  ssdi
 sff120-28q.pdf pdf_icon

SFF120-28Q

PRELIMINARYSFF120-28QSOLID STATE DEVICES, INC.14005 Stage Road * Santa Fe Springs, Ca 90670Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-17739.2 AMPS100 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET0.35 QUAD N-CHANNELPOWER MOSFETFEATURES: Rugged construction with poly silicon gate Low RDS (on) and high transconductance28 PIN CLCC Excellent high temperature stability Very fast

 9.1. Size:97K  semiwell
 sff12n60.pdf pdf_icon

SFF120-28Q

SemiWell Semiconductor SFF12N60 N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 0.65 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 52 nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance h

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History: FDD6N50TF | 2SJ125 | NVMFD5C650NL | IRFU420B | UM6K31N | H8N60F

 

 
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