SFF120-28Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF120-28Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: 28-PIN-CLCC

Аналог (замена) для SFF120-28Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF120-28Q даташит

 ..1. Size:175K  ssdi
 sff120-28q.pdf pdf_icon

SFF120-28Q

PRELIMINARY SFF120-28Q SOLID STATE DEVICES, INC. 14005 Stage Road * Santa Fe Springs, Ca 90670 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 9.2 AMPS 100 VOLTS DESIGNER'S DATA SHEET 0.35 QUAD N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES Rugged construction with poly silicon gate Low RDS (on) and high transconductance 28 PIN CLCC Excellent high temperature stability Very fast

 9.1. Size:97K  semiwell
 sff12n60.pdf pdf_icon

SFF120-28Q

SemiWell Semiconductor SFF12N60 N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 0.65 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 52 nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance h

Другие IGBT... SFF110S, SFF116N10M, SFF116N10Z, SFF11N80B, SFF11N80M, SFF11N80N, SFF11N80P, SFF11N80Z, EMB04N03H, SFF12N60, SFF130, SFF130-28, SFF130G, SFF130J, SFF1310M, SFF1310Z, SFF140