SFF12N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFF12N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFF12N60

SFF12N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:97K semiwell
sff12n60.pdf

SemiWell Semiconductor SFF12N60 N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 0.65 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 52 nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance h

9.1. Size:175K ssdi
sff120-28q.pdf

PRELIMINARYSFF120-28QSOLID STATE DEVICES, INC.14005 Stage Road * Santa Fe Springs, Ca 90670Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-17739.2 AMPS100 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET0.35 QUAD N-CHANNELPOWER MOSFETFEATURES: Rugged construction with poly silicon gate Low RDS (on) and high transconductance28 PIN CLCC Excellent high temperature stability Very fast

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Liste

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