SFF12N60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFF12N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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SFF12N60 datasheet

 ..1. Size:97K  semiwell
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SFF12N60

SemiWell Semiconductor SFF12N60 N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 0.65 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 52 nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance h

 9.1. Size:175K  ssdi
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SFF12N60

PRELIMINARY SFF120-28Q SOLID STATE DEVICES, INC. 14005 Stage Road * Santa Fe Springs, Ca 90670 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 9.2 AMPS 100 VOLTS DESIGNER'S DATA SHEET 0.35 QUAD N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES Rugged construction with poly silicon gate Low RDS (on) and high transconductance 28 PIN CLCC Excellent high temperature stability Very fast

Otros transistores... SFF116N10M, SFF116N10Z, SFF11N80B, SFF11N80M, SFF11N80N, SFF11N80P, SFF11N80Z, SFF120-28Q, RU7088R, SFF130, SFF130-28, SFF130G, SFF130J, SFF1310M, SFF1310Z, SFF140, SFF140-28