Справочник MOSFET. SFF12N60

 

SFF12N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF12N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для SFF12N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF12N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  semiwell
 sff12n60.pdf pdf_icon

SFF12N60

SemiWell Semiconductor SFF12N60 N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 0.65 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 52 nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance h

 9.1. Size:175K  ssdi
 sff120-28q.pdf pdf_icon

SFF12N60

PRELIMINARYSFF120-28QSOLID STATE DEVICES, INC.14005 Stage Road * Santa Fe Springs, Ca 90670Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-17739.2 AMPS100 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET0.35 QUAD N-CHANNELPOWER MOSFETFEATURES: Rugged construction with poly silicon gate Low RDS (on) and high transconductance28 PIN CLCC Excellent high temperature stability Very fast

Другие MOSFET... SFF116N10M , SFF116N10Z , SFF11N80B , SFF11N80M , SFF11N80N , SFF11N80P , SFF11N80Z , SFF120-28Q , MMD60R360PRH , SFF130 , SFF130-28 , SFF130G , SFF130J , SFF1310M , SFF1310Z , SFF140 , SFF140-28 .

History: STV200N55F3 | SM2F07NSU | CEU83A3 | CED3172 | 2SK1546 | 2SJ128-Z | SPI15N60CFD

 

 
Back to Top

 


 
.