SFF12N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF12N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SFF12N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF12N60 даташит

 ..1. Size:97K  semiwell
 sff12n60.pdf pdf_icon

SFF12N60

SemiWell Semiconductor SFF12N60 N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 0.65 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 52 nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance h

 9.1. Size:175K  ssdi
 sff120-28q.pdf pdf_icon

SFF12N60

PRELIMINARY SFF120-28Q SOLID STATE DEVICES, INC. 14005 Stage Road * Santa Fe Springs, Ca 90670 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 9.2 AMPS 100 VOLTS DESIGNER'S DATA SHEET 0.35 QUAD N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES Rugged construction with poly silicon gate Low RDS (on) and high transconductance 28 PIN CLCC Excellent high temperature stability Very fast

Другие IGBT... SFF116N10M, SFF116N10Z, SFF11N80B, SFF11N80M, SFF11N80N, SFF11N80P, SFF11N80Z, SFF120-28Q, RU7088R, SFF130, SFF130-28, SFF130G, SFF130J, SFF1310M, SFF1310Z, SFF140, SFF140-28