SFF23N60M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF23N60M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 100 nC
Tiempo de subida (tr): 33 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.32 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-254
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFF23N60M
SFF23N60M Datasheet (PDF)
sff23n60m sff23n60z.pdf
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SFF23N60M Solid State Devices, Inc. SFF23N60Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 15 AMP, 600 Volts, 320 m Avalanche Rated N-channel TO-254 TO-254Z MOSFET Features: Advanced low gate charge process Lowest ON-resistance in the industry Av
sff23n60s1 sff23n60s2.pdf
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SFF23N60S1 Solid State Devices, Inc. SFF23N60S2 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 21 AMP, 600 Volts, 320 m SMD1, 2 Avalanche Rated N-channel MOSFET Features: Rugged poly-Si gate Lowest ON-resistance in the industry Avalanche rated
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History: SDF20N60JED
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