SFF23N60M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF23N60M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: TO-254

Аналог (замена) для SFF23N60M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF23N60M даташит

 ..1. Size:164K  ssdi
 sff23n60m sff23n60z.pdf pdf_icon

SFF23N60M

SFF23N60M Solid State Devices, Inc. SFF23N60Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 15 AMP, 600 Volts, 320 m Avalanche Rated N-channel TO-254 TO-254Z MOSFET Features Advanced low gate charge process Lowest ON-resistance in the industry Av

 6.1. Size:127K  ssdi
 sff23n60s1 sff23n60s2.pdf pdf_icon

SFF23N60M

SFF23N60S1 Solid State Devices, Inc. SFF23N60S2 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 21 AMP, 600 Volts, 320 m SMD1, 2 Avalanche Rated N-channel MOSFET Features Rugged poly-Si gate Lowest ON-resistance in the industry Avalanche rated

 9.1. Size:163K  ssdi
 sff230g.pdf pdf_icon

SFF23N60M

 9.2. Size:178K  ssdi
 sff230-28.pdf pdf_icon

SFF23N60M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFF20P10J, SFF220-28, SFF230, SFF230-28, SFF230G, SFF230J, SFF230M, SFF230Z, 2N7000, SFF23N60S1, SFF23N60S2, SFF23N60Z, SFF240, SFF240-28, SFF240J, SFF240JR, SFF240M