Справочник MOSFET. SFF23N60M

 

SFF23N60M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF23N60M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: TO-254
 

 Аналог (замена) для SFF23N60M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF23N60M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  ssdi
 sff23n60m sff23n60z.pdf pdf_icon

SFF23N60M

SFF23N60M Solid State Devices, Inc. SFF23N60Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 15 AMP, 600 Volts, 320 m Avalanche Rated N-channel TO-254 TO-254Z MOSFET Features: Advanced low gate charge process Lowest ON-resistance in the industry Av

 6.1. Size:127K  ssdi
 sff23n60s1 sff23n60s2.pdf pdf_icon

SFF23N60M

SFF23N60S1 Solid State Devices, Inc. SFF23N60S2 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 21 AMP, 600 Volts, 320 m SMD1, 2 Avalanche Rated N-channel MOSFET Features: Rugged poly-Si gate Lowest ON-resistance in the industry Avalanche rated

 9.1. Size:163K  ssdi
 sff230g.pdf pdf_icon

SFF23N60M

 9.2. Size:178K  ssdi
 sff230-28.pdf pdf_icon

SFF23N60M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SFF20P10J , SFF220-28 , SFF230 , SFF230-28 , SFF230G , SFF230J , SFF230M , SFF230Z , IRF9540 , SFF23N60S1 , SFF23N60S2 , SFF23N60Z , SFF240 , SFF240-28 , SFF240J , SFF240JR , SFF240M .

History: SI7998DP | SWP030R04VT | UT4421G-S08-R | BSB019N03LXG | HY4N65D | IXFV22N60PS | 2SK1434

 

 
Back to Top

 


 
.