SFF27N50Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF27N50Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-254Z
Búsqueda de reemplazo de SFF27N50Z MOSFET
SFF27N50Z Datasheet (PDF)
sff27n50m sff27n50z.pdf

SFF27N50M Solid State Devices, Inc. SFF27N50Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 27 AMP , 500 Volts, 175 m Part Number / Ordering Information 1/ Avalanche Rated N-channel SFF27N50 ___ ___ ___ Screening 2/ MOSFET __ = Not Screene
Otros transistores... SFF250Z , SFF250ZDB , SFF250ZUB , SFF25P20M , SFF25P20S2I-01 , SFF25P20S2I-02 , SFF25P20S2I-03 , SFF27N50M , AON7506 , SFF2N60-KR , SFF330-28 , SFF340 , SFF340-28 , SFF340C , SFF340J , SFF340M , SFF340Z .
History: CEU02N6G | CEU02N65G | HFS4N50 | SPP11N60C3 | OSG65R760FF | OSG70R350PF | SFF10N100M
History: CEU02N6G | CEU02N65G | HFS4N50 | SPP11N60C3 | OSG65R760FF | OSG70R350PF | SFF10N100M



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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