SFF27N50Z Todos los transistores

 

SFF27N50Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFF27N50Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-254Z
 

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SFF27N50Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  ssdi
 sff27n50m sff27n50z.pdf pdf_icon

SFF27N50Z

SFF27N50M Solid State Devices, Inc. SFF27N50Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 27 AMP , 500 Volts, 175 m Part Number / Ordering Information 1/ Avalanche Rated N-channel SFF27N50 ___ ___ ___ Screening 2/ MOSFET __ = Not Screene

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History: SI4463CDY | BLF7G27LS-75P | 2SK3916-01 | PMZB950UPE

 

 
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