SFF27N50Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF27N50Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm

Тип корпуса: TO-254Z

Аналог (замена) для SFF27N50Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF27N50Z даташит

 ..1. Size:123K  ssdi
 sff27n50m sff27n50z.pdf pdf_icon

SFF27N50Z

SFF27N50M Solid State Devices, Inc. SFF27N50Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 27 AMP , 500 Volts, 175 m Part Number / Ordering Information 1/ Avalanche Rated N-channel SFF27N50 ___ ___ ___ Screening 2/ MOSFET __ = Not Screene

Другие IGBT... SFF250Z, SFF250ZDB, SFF250ZUB, SFF25P20M, SFF25P20S2I-01, SFF25P20S2I-02, SFF25P20S2I-03, SFF27N50M, AON6380, SFF2N60-KR, SFF330-28, SFF340, SFF340-28, SFF340C, SFF340J, SFF340M, SFF340Z