SFF2N60-KR Todos los transistores

 

SFF2N60-KR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFF2N60-KR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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SFF2N60-KR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  semiwell
 sff2n60-kr.pdf pdf_icon

SFF2N60-KR

SemiWell Semiconductor SFF2N60-KR N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 5.0ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 9.0nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has beenespecially designed to minimize on-state resistance ha

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History: FMI13N60E | 2N5640 | DM10N65C-2

 

 
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