SFF2N60-KR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF2N60-KR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de SFF2N60-KR MOSFET
SFF2N60-KR Datasheet (PDF)
sff2n60-kr.pdf
SemiWell Semiconductor SFF2N60-KR N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 5.0ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 9.0nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has beenespecially designed to minimize on-state resistance ha
Otros transistores... SFF250ZDB , SFF250ZUB , SFF25P20M , SFF25P20S2I-01 , SFF25P20S2I-02 , SFF25P20S2I-03 , SFF27N50M , SFF27N50Z , IRF530 , SFF330-28 , SFF340 , SFF340-28 , SFF340C , SFF340J , SFF340M , SFF340Z , SFF35N20M .
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