Справочник MOSFET. SFF2N60-KR

 

SFF2N60-KR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF2N60-KR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для SFF2N60-KR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF2N60-KR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  semiwell
 sff2n60-kr.pdf pdf_icon

SFF2N60-KR

SemiWell Semiconductor SFF2N60-KR N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 5.0ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 9.0nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has beenespecially designed to minimize on-state resistance ha

Другие MOSFET... SFF250ZDB , SFF250ZUB , SFF25P20M , SFF25P20S2I-01 , SFF25P20S2I-02 , SFF25P20S2I-03 , SFF27N50M , SFF27N50Z , AO4407 , SFF330-28 , SFF340 , SFF340-28 , SFF340C , SFF340J , SFF340M , SFF340Z , SFF35N20M .

History: CM8N80F | AP4575GM-HF | SSM3K03FE | AFP3407AS | CTD03N003 | JCS620VT

 

 
Back to Top

 


 
.