SFF2N60-KR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF2N60-KR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SFF2N60-KR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF2N60-KR даташит

 ..1. Size:210K  semiwell
 sff2n60-kr.pdf pdf_icon

SFF2N60-KR

SemiWell Semiconductor SFF2N60-KR N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 5.0ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 9.0nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance ha

Другие IGBT... SFF250ZDB, SFF250ZUB, SFF25P20M, SFF25P20S2I-01, SFF25P20S2I-02, SFF25P20S2I-03, SFF27N50M, SFF27N50Z, IRF530, SFF330-28, SFF340, SFF340-28, SFF340C, SFF340J, SFF340M, SFF340Z, SFF35N20M