SFF35N20Z Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFF35N20Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 225 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO-254Z

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SFF35N20Z datasheet

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SFF35N20Z

SFF35N20M Solid State Devices, Inc. SFF35N20Z 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 55 AMP (note 1) /200 Volts 35 mO N-Channel Trench Gate TO-254 and TO-254Z MOSFET Features TRENCH GATE technology Lowest ON-resistance in the industry UIS

Otros transistores... SFF330-28, SFF340, SFF340-28, SFF340C, SFF340J, SFF340M, SFF340Z, SFF35N20M, 4N60, SFF40N10-28, SFF40N30, SFF40N30B, SFF40N30M, SFF40N30MDB, SFF40N30MUB, SFF40N30N, SFF40N30P