SFF35N20Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF35N20Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 90 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 225 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-254Z
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SFF35N20Z Datasheet (PDF)
..1. Size:40K ssdi
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SFF35N20M Solid State Devices, Inc. SFF35N20Z 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 55 AMP (note 1) /200 Volts 35 mO N-Channel Trench Gate TO-254 and TO-254Z MOSFET Features: TRENCH GATE technology Lowest ON-resistance in the industry UIS
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