SFF35N20Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SFF35N20Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 225 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO-254Z
Аналог (замена) для SFF35N20Z
SFF35N20Z Datasheet (PDF)
sff35n20m sff35n20z.pdf

SFF35N20M Solid State Devices, Inc. SFF35N20Z 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 55 AMP (note 1) /200 Volts 35 mO N-Channel Trench Gate TO-254 and TO-254Z MOSFET Features: TRENCH GATE technology Lowest ON-resistance in the industry UIS
Другие MOSFET... SFF330-28 , SFF340 , SFF340-28 , SFF340C , SFF340J , SFF340M , SFF340Z , SFF35N20M , 2SK3568 , SFF40N10-28 , SFF40N30 , SFF40N30B , SFF40N30M , SFF40N30MDB , SFF40N30MUB , SFF40N30N , SFF40N30P .
History: FP5W90HVX2 | P9006EL | IXTA2R4N120P | UPA2790GR | FQA6N70 | UPA2792AGR | QM2402C1
History: FP5W90HVX2 | P9006EL | IXTA2R4N120P | UPA2790GR | FQA6N70 | UPA2792AGR | QM2402C1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns