IRFSZ20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFSZ20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de IRFSZ20 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFSZ20 datasheet

 ..1. Size:42K  1
 irfsz20 irfsz24 irfsz30 irfsz34 irfsz40 irfsz44.pdf pdf_icon

IRFSZ20

 8.1. Size:1006K  samsung
 irfsz24a.pdf pdf_icon

IRFSZ20

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.050 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Ch

 9.1. Size:280K  1
 irfsz14a.pdf pdf_icon

IRFSZ20

 9.2. Size:498K  samsung
 irfsz34a.pdf pdf_icon

IRFSZ20

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 20 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.030 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Cha

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFS9640, IRFS9641, IRFS9642, IRFS9643, IRFS9N60A, IRFSL11N50A, IRFSL9N60A, IRFSZ14A, 4435, IRFSZ22, IRFSZ24, IRFSZ24A, IRFSZ25, IRFSZ30, IRFSZ32, IRFSZ34, IRFSZ34A