Справочник MOSFET. IRFSZ20

 

IRFSZ20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFSZ20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFSZ20 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:1006K  samsung
irfsz24a.pdfpdf_icon

IRFSZ20

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.050 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch

 9.1. Size:280K  1
irfsz14a.pdfpdf_icon

IRFSZ20

 9.2. Size:498K  samsung
irfsz34a.pdfpdf_icon

IRFSZ20

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 20 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.030 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

Другие MOSFET... IRFS9640 , IRFS9641 , IRFS9642 , IRFS9643 , IRFS9N60A , IRFSL11N50A , IRFSL9N60A , IRFSZ14A , K4145 , IRFSZ22 , IRFSZ24 , IRFSZ24A , IRFSZ25 , IRFSZ30 , IRFSZ32 , IRFSZ34 , IRFSZ34A .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.