SFF730 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFF730
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFF730

SFF730 Datasheet (PDF)

..1. Size:716K winsemi
sff730.pdf

SFF730SFF730SFF730SFF730Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures5.5A,400V, R (Max 1.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSF ET is produced using

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: