SFF730 Todos los transistores

 

SFF730 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFF730
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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SFF730 Datasheet (PDF)

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SFF730

SFF730SFF730SFF730SFF730Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures5.5A,400V, R (Max 1.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSF ET is produced using

Otros transistores... SFF60P05Z , SFF60P05ZDB , SFF60P05ZUB , SFF6N100S1 , SFF7002KA2GW , SFF70N04S , SFF70N10M , SFF70N10Z , IRF640 , SFF740 , SFF75N05M , SFF75N05Z , SFF75N06-28 , SFF75N06M , SFF75N06Z , SFF75N08M , SFF75N08Z .

History: WMO10N100C2 | WML14N60C4 | SI6913DQ-T1 | IPI80N06S2L-05 | MTDNK2N6 | IXFB50N80Q2

 

 
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