Справочник MOSFET. SFF730

 

SFF730 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF730
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для SFF730

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF730 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:716K  winsemi
 sff730.pdf pdf_icon

SFF730

SFF730SFF730SFF730SFF730Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures5.5A,400V, R (Max 1.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSF ET is produced using

Другие MOSFET... SFF60P05Z , SFF60P05ZDB , SFF60P05ZUB , SFF6N100S1 , SFF7002KA2GW , SFF70N04S , SFF70N10M , SFF70N10Z , IRF640 , SFF740 , SFF75N05M , SFF75N05Z , SFF75N06-28 , SFF75N06M , SFF75N06Z , SFF75N08M , SFF75N08Z .

History: IPI80N06S2L-05 | R6020KNX | IRL1104L | APTM100H45SCTG | MSAEX8P50A | IXTQ102N20T | IXFB50N80Q2

 

 
Back to Top

 


 
.