SFF730 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF730

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SFF730

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF730 даташит

 ..1. Size:716K  winsemi
 sff730.pdf pdf_icon

SFF730

SFF730 SFF730 SFF730 SFF730 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 5.5A,400V, R (Max 1.0 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSF ET is produced using

Другие IGBT... SFF60P05Z, SFF60P05ZDB, SFF60P05ZUB, SFF6N100S1, SFF7002KA2GW, SFF70N04S, SFF70N10M, SFF70N10Z, IRFP460, SFF740, SFF75N05M, SFF75N05Z, SFF75N06-28, SFF75N06M, SFF75N06Z, SFF75N08M, SFF75N08Z