SFF7N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF7N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de SFF7N60 MOSFET
SFF7N60 Datasheet (PDF)
sff7n60.pdf

SFF7N60SFF7N60SFF7N60SFF7N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7A,600V,R (Max 1.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 29nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Descri
Otros transistores... SFF75N06M , SFF75N06Z , SFF75N08M , SFF75N08Z , SFF75N10 , SFF75N10B , SFF75N10N , SFF75N10P , IRFP250N , SFF801R2 , SFF80N20M , SFF80N20MDB , SFF80N20MUB , SFF80N20N , SFF80N20NDB , SFF80N20NUB , SFF80N20P .
History: MSAFR30N20A
History: MSAFR30N20A



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