SFF7N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF7N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SFF7N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF7N60 даташит

 ..1. Size:662K  winsemi
 sff7n60.pdf pdf_icon

SFF7N60

SFF7N60 SFF7N60 SFF7N60 SFF7N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 7A,600V,R (Max 1.0 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 29nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Descri

Другие IGBT... SFF75N06M, SFF75N06Z, SFF75N08M, SFF75N08Z, SFF75N10, SFF75N10B, SFF75N10N, SFF75N10P, IRFB4115, SFF801R2, SFF80N20M, SFF80N20MDB, SFF80N20MUB, SFF80N20N, SFF80N20NDB, SFF80N20NUB, SFF80N20P