SFF840 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF840
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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SFF840 datasheet
sff840 sfp840.pdf
SemiWell Semiconductor SFF840 N-Channel MOSFET Features 2. Drain Symbol RDS(on) (Max 0.85 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 38nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 1. Gate 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) 3. Source General Description TO-220F This Powe
Otros transistores... SFF80N20NDB, SFF80N20NUB, SFF80N20P, SFF80N20PDB, SFF80N20PUB, SFF80N20Z, SFF80N20ZDB, SFF80N20ZUB, IRLB4132, SFF85N06M, SFF85N06Z, SFF9130, SFF9130-28D, SFF9130J, SFF9130M, SFF9130Z, SIS415DNT
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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