SFF840 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF840
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de SFF840 MOSFET
SFF840 Datasheet (PDF)
sff840 sfp840.pdf

SemiWell SemiconductorSFF840N-Channel MOSFETFeatures 2. DrainSymbol RDS(on) (Max 0.85 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 38nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 1. Gate 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)3. Source General DescriptionTO-220FThis Powe
Otros transistores... SFF80N20NDB , SFF80N20NUB , SFF80N20P , SFF80N20PDB , SFF80N20PUB , SFF80N20Z , SFF80N20ZDB , SFF80N20ZUB , 5N60 , SFF85N06M , SFF85N06Z , SFF9130 , SFF9130-28D , SFF9130J , SFF9130M , SFF9130Z , SIS415DNT .
History: NTD20P06LG | NDS335N | IRF7807TRPBF-1 | VN1206N5 | APT1201R4BLL | APT20M16LFLL | SMG5406
History: NTD20P06LG | NDS335N | IRF7807TRPBF-1 | VN1206N5 | APT1201R4BLL | APT20M16LFLL | SMG5406



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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