Справочник MOSFET. SFF840

 

SFF840 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF840
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для SFF840

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF840 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:839K  semiwell
 sff840 sfp840.pdf pdf_icon

SFF840

SemiWell SemiconductorSFF840N-Channel MOSFETFeatures 2. DrainSymbol RDS(on) (Max 0.85 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 38nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 1. Gate 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)3. Source General DescriptionTO-220FThis Powe

Другие MOSFET... SFF80N20NDB , SFF80N20NUB , SFF80N20P , SFF80N20PDB , SFF80N20PUB , SFF80N20Z , SFF80N20ZDB , SFF80N20ZUB , 5N60 , SFF85N06M , SFF85N06Z , SFF9130 , SFF9130-28D , SFF9130J , SFF9130M , SFF9130Z , SIS415DNT .

History: SQM100N04-2M7 | NCE020N30K

 

 
Back to Top

 


 
.