RDX045N60FU6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RDX045N60FU6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FM
Búsqueda de reemplazo de RDX045N60FU6 MOSFET
RDX045N60FU6 Datasheet (PDF)
rdx045n60fu6.pdf

RDX045N60 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDX045N60 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Low input capacitance. 1.33) Excellent resistance to damage from static electricity. 0.8(1)Gate 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain (1) (2) (3) Applications(3)SourceSwitching P
Otros transistores... SIS415DNT , SFF9140-28 , SFF9140C , SFF9140J , SFF9140M , SFF9140Z , SFF9230M , SFF9230Z , IRLB4132 , SFF9240-28 , SFF9240C , SFF9240J , SFF9240M , SFF9240Z , SFF9250L , SFFC40-28 , SFFC50 .
History: ST3400S23RG | IRF830LPBF
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Liste
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