RDX045N60FU6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RDX045N60FU6  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm

Encapsulados: TO-220FM

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RDX045N60FU6 datasheet

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RDX045N60FU6

RDX045N60 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDX045N60 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 2) Low input capacitance. 1.3 3) Excellent resistance to damage from static electricity. 0.8 (1)Gate 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Drain (1) (2) (3) Applications (3)Source Switching P

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