RDX045N60FU6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RDX045N60FU6  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220FM

Аналог (замена) для RDX045N60FU6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RDX045N60FU6 даташит

 ..1. Size:82K  rohm
 rdx045n60fu6.pdf pdf_icon

RDX045N60FU6

RDX045N60 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDX045N60 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 2) Low input capacitance. 1.3 3) Excellent resistance to damage from static electricity. 0.8 (1)Gate 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Drain (1) (2) (3) Applications (3)Source Switching P

Другие IGBT... SIS415DNT, SFF9140-28, SFF9140C, SFF9140J, SFF9140M, SFF9140Z, SFF9230M, SFF9230Z, CS150N03A8, SFF9240-28, SFF9240C, SFF9240J, SFF9240M, SFF9240Z, SFF9250L, SFFC40-28, SFFC50