SFM9110TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFM9110TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFM9110TF

SFM9110TF Datasheet (PDF)

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sfm9110tf.pdf

SFM9110Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -1.0 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaSOT-223n Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -100V2n Lower RDS(ON) : 0.912 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ratings

7.1. Size:998K samsung
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Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -1.0 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V2 Lower RDS(ON) : 0.912 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristi

9.1. Size:971K samsung
sfm9120.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -1.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V2 Lower RDS(ON) : 0.444 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristi

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Liste

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