Справочник MOSFET. SFM9110TF

 

SFM9110TF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFM9110TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.52 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9 nC
   Время нарастания (tr): 20 ns
   Выходная емкость (Cd): 50 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для SFM9110TF

 

 

SFM9110TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  fairchild semi
 sfm9110tf.pdf

SFM9110TF SFM9110TF

SFM9110Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -1.0 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaSOT-223n Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -100V2n Lower RDS(ON) : 0.912 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ratings

 7.1. Size:998K  samsung
 sfm9110.pdf

SFM9110TF SFM9110TF

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -1.0 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V2 Lower RDS(ON) : 0.912 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristi

 9.1. Size:971K  samsung
 sfm9120.pdf

SFM9110TF SFM9110TF

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -1.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V2 Lower RDS(ON) : 0.444 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristi

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top