SFP3710G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFP3710G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 59 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO220

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SFP3710G datasheet

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SFP3710G

SFP3710G SFP3710G SFP3710G SFP3710G Silicon N-Channel MOSFET Features 59A,100V,R (Max 18m )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 1180nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(175 ) General Description This Power MOSFET is produced using Winsemi's advanced planar stripe,DMOS technology. This latest techno

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