SFP3710G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFP3710G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFP3710G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP3710G даташит

 ..1. Size:442K  winsemi
 sfp3710g.pdf pdf_icon

SFP3710G

SFP3710G SFP3710G SFP3710G SFP3710G Silicon N-Channel MOSFET Features 59A,100V,R (Max 18m )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 1180nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(175 ) General Description This Power MOSFET is produced using Winsemi's advanced planar stripe,DMOS technology. This latest techno

Другие IGBT... SFI9540, SFL024, SFL044J, SFL3200, SFM9014TF, SFM9110TF, SFP12N65, SFP13N50, IRFZ24N, SFP50N06, SFP50N06R, SFP5N50, SFP630, SFP634, SFP640, SFP6N40, SFP70N06