Справочник MOSFET. SFP3710G

 

SFP3710G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFP3710G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1180 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SFP3710G

 

 

SFP3710G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  winsemi
 sfp3710g.pdf

SFP3710G SFP3710G

SFP3710GSFP3710GSFP3710GSFP3710GSilicon N-Channel MOSFETFeatures 59A,100V,R (Max 18m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 1180nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(175)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemi's advancedplanar stripe,DMOS technology. This latest techno

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top