Справочник MOSFET. SFP3710G

 

SFP3710G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP3710G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SFP3710G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP3710G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  winsemi
 sfp3710g.pdf pdf_icon

SFP3710G

SFP3710GSFP3710GSFP3710GSFP3710GSilicon N-Channel MOSFETFeatures 59A,100V,R (Max 18m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 1180nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(175)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemi's advancedplanar stripe,DMOS technology. This latest techno

Другие MOSFET... SFI9540 , SFL024 , SFL044J , SFL3200 , SFM9014TF , SFM9110TF , SFP12N65 , SFP13N50 , AON6380 , SFP50N06 , SFP50N06R , SFP5N50 , SFP630 , SFP634 , SFP640 , SFP6N40 , SFP70N06 .

History: SSD20N10-250D | IRF8714G | SWN6N80D

 

 
Back to Top

 


 
.