Справочник MOSFET. SFP3710G

 

SFP3710G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP3710G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP3710G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  winsemi
 sfp3710g.pdf pdf_icon

SFP3710G

SFP3710GSFP3710GSFP3710GSFP3710GSilicon N-Channel MOSFETFeatures 59A,100V,R (Max 18m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 1180nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(175)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemi's advancedplanar stripe,DMOS technology. This latest techno

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.