SFP50N06 Todos los transistores

 

SFP50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFP50N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SFP50N06 Datasheet (PDF)

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SFP50N06

SFP50N06SFP50N06SFP50N06SFP50N06Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures R (Max 22m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Win

 0.1. Size:747K  winsemi
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SFP50N06

SFP50N06RSFP50N06RSFP50N06RSFP50N06RSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures R (Max0.023)@V =10VDS(on) GS Gate Charge(Typical 25nC) Maximum Junction Temperature Range(175)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemis trench layout-basedprocess. This technology improv

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History: SSD10N20-400D | SI7272DP | IRFB4233PBF | SSF5NS60UD | IRLU3105PBF | IRFR3303PBF | SI6435ADQ

 

 
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