Справочник MOSFET. SFP50N06

 

SFP50N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SFP50N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  winsemi
 sfp50n06.pdf pdf_icon

SFP50N06

SFP50N06SFP50N06SFP50N06SFP50N06Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures R (Max 22m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Win

 0.1. Size:747K  winsemi
 sfp50n06r.pdf pdf_icon

SFP50N06

SFP50N06RSFP50N06RSFP50N06RSFP50N06RSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures R (Max0.023)@V =10VDS(on) GS Gate Charge(Typical 25nC) Maximum Junction Temperature Range(175)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemis trench layout-basedprocess. This technology improv

Другие MOSFET... SFL024 , SFL044J , SFL3200 , SFM9014TF , SFM9110TF , SFP12N65 , SFP13N50 , SFP3710G , IRF830 , SFP50N06R , SFP5N50 , SFP630 , SFP634 , SFP640 , SFP6N40 , SFP70N06 , SFP730 .

History: MTD20N06HDLT4G | SMT8N60 | SI4914DY | STFU15N80K5 | IRFB4310ZG | WMP05N80M3 | WPM3021

 

 
Back to Top

 


 
.