SFP50N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFP50N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFP50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP50N06 даташит

 ..1. Size:476K  winsemi
 sfp50n06.pdf pdf_icon

SFP50N06

SFP50N06 SFP50N06 SFP50N06 SFP50N06 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features R (Max 22m )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced using Win

 0.1. Size:747K  winsemi
 sfp50n06r.pdf pdf_icon

SFP50N06

SFP50N06R SFP50N06R SFP50N06R SFP50N06R Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features R (Max0.023 )@V =10V DS(on) GS Gate Charge(Typical 25nC) Maximum Junction Temperature Range(175 ) General Description This Power MOSFET is produced using Winsemi s trench layout-based process. This technology improv

Другие IGBT... SFL024, SFL044J, SFL3200, SFM9014TF, SFM9110TF, SFP12N65, SFP13N50, SFP3710G, 2N60, SFP50N06R, SFP5N50, SFP630, SFP634, SFP640, SFP6N40, SFP70N06, SFP730