SFP50N06R Todos los transistores

 

 

SFP50N06R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFP50N06R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de SFP50N06R MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

 

SFP50N06R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:747K  winsemi
 sfp50n06r.pdf pdf_icon

SFP50N06R

SFP50N06RSFP50N06RSFP50N06RSFP50N06RSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures R (Max0.023)@V =10VDS(on) GS Gate Charge(Typical 25nC) Maximum Junction Temperature Range(175)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemis trench layout-basedprocess. This technology improv

 6.1. Size:476K  winsemi
 sfp50n06.pdf pdf_icon

SFP50N06R

SFP50N06SFP50N06SFP50N06SFP50N06Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures R (Max 22m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Win

Otros transistores... SFL044J , SFL3200 , SFM9014TF , SFM9110TF , SFP12N65 , SFP13N50 , SFP3710G , SFP50N06 , 8N60 , SFP5N50 , SFP630 , SFP634 , SFP640 , SFP6N40 , SFP70N06 , SFP730 , SFP730D .

History: SFT1452 | SFP630 | RFD15N06LESM

 

 
Back to Top

 


 
.