Справочник MOSFET. SFP50N06R

 

SFP50N06R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP50N06R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SFP50N06R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP50N06R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:747K  winsemi
 sfp50n06r.pdf pdf_icon

SFP50N06R

SFP50N06RSFP50N06RSFP50N06RSFP50N06RSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures R (Max0.023)@V =10VDS(on) GS Gate Charge(Typical 25nC) Maximum Junction Temperature Range(175)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemis trench layout-basedprocess. This technology improv

 6.1. Size:476K  winsemi
 sfp50n06.pdf pdf_icon

SFP50N06R

SFP50N06SFP50N06SFP50N06SFP50N06Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures R (Max 22m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Win

Другие MOSFET... SFL044J , SFL3200 , SFM9014TF , SFM9110TF , SFP12N65 , SFP13N50 , SFP3710G , SFP50N06 , K2611 , SFP5N50 , SFP630 , SFP634 , SFP640 , SFP6N40 , SFP70N06 , SFP730 , SFP730D .

History: WMS08N06TS | NCE4003 | D7509 | WMK15N65C2 | IRFR6215 | IRFB4332 | SSF65R120S2

 

 
Back to Top

 


 
.