SFP640 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFP640  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO220

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SFP640 datasheet

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SFP640

SFP640 SFP640 SFP640 SFP640 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 18A,200V,R (Max 0.18 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 40nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced using

Otros transistores... SFP12N65, SFP13N50, SFP3710G, SFP50N06, SFP50N06R, SFP5N50, SFP630, SFP634, IRFB31N20D, SFP6N40, SFP70N06, SFP730, SFP730D, SFP740, SFP75N08R, SFP830, SFP830D