SFP640 Todos los transistores

 

SFP640 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFP640
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SFP640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:767K  winsemi
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SFP640

SFP640SFP640SFP640SFP640Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,200V,R (Max 0.18)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 40nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using

Otros transistores... SFP12N65 , SFP13N50 , SFP3710G , SFP50N06 , SFP50N06R , SFP5N50 , SFP630 , SFP634 , IRF730 , SFP6N40 , SFP70N06 , SFP730 , SFP730D , SFP740 , SFP75N08R , SFP830 , SFP830D .

History: STI20N65M5 | IRL1104SPBF | SSPL1090 | NTP5862N | TK90S06N1L | NCE2302B | WNMD6003

 

 
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