SFP640 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFP640  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFP640

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP640 даташит

 ..1. Size:767K  winsemi
 sfp640.pdf pdf_icon

SFP640

SFP640 SFP640 SFP640 SFP640 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 18A,200V,R (Max 0.18 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 40nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced using

Другие IGBT... SFP12N65, SFP13N50, SFP3710G, SFP50N06, SFP50N06R, SFP5N50, SFP630, SFP634, IRFB31N20D, SFP6N40, SFP70N06, SFP730, SFP730D, SFP740, SFP75N08R, SFP830, SFP830D