SFP640 - аналоги и даташиты транзистора

 

SFP640 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SFP640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SFP640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:767K  winsemi
 sfp640.pdf pdf_icon

SFP640

SFP640SFP640SFP640SFP640Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,200V,R (Max 0.18)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 40nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using

Другие MOSFET... SFP12N65 , SFP13N50 , SFP3710G , SFP50N06 , SFP50N06R , SFP5N50 , SFP630 , SFP634 , IRFZ46N , SFP6N40 , SFP70N06 , SFP730 , SFP730D , SFP740 , SFP75N08R , SFP830 , SFP830D .

History: 2N60L-TMS-T | IRHYK57133CMSE

 

 
Back to Top

 


 
.