Справочник MOSFET. SFP640

 

SFP640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SFP640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:767K  winsemi
 sfp640.pdf pdf_icon

SFP640

SFP640SFP640SFP640SFP640Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,200V,R (Max 0.18)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 40nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using

Другие MOSFET... SFP12N65 , SFP13N50 , SFP3710G , SFP50N06 , SFP50N06R , SFP5N50 , SFP630 , SFP634 , IRF730 , SFP6N40 , SFP70N06 , SFP730 , SFP730D , SFP740 , SFP75N08R , SFP830 , SFP830D .

History: IRLU7807Z | NTR1P02LT1G | SI68H11 | 2SK1035 | NP110N04PUG | SWF2N65DB | SRH03P142LDTR-G

 

 
Back to Top

 


 
.